长飞先进武汉基地主体楼全面封顶，聚焦第三代半导体

9月10号，长飞先进宣布，公司武汉基地主体楼已全面封顶，包括晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍楼与综合楼。

据此前消息，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

据悉 ，长飞先进武汉基地将于10月开始搬入首批设备，并于2025年6月实现量产通线。项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。

封面图片来源：拍信网

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