长光华芯先进化合物半导体光电子平台封顶，预计2025年建成并全面投产

9月20日，长光华芯先进化合物半导体光电子平台项目正式封顶。

长光华芯先进化合物半导体光电子平台建设项目于2023年开工，预计2025年建成并全面投产，总占地面积约31亩，含生产中心、研发中心、动力站及配套设施，旨在建设国内一流的半导体激光芯片研发及生产平台，打造基于多种化合物半导体的光电与电子器件的材料、工艺以及封装技术开发的先进器件研发和产业化平台。

长光华芯表示，本次项目封顶标志着长光华芯在多种化合物半导体光电芯片、器件等方面的产能、研发水平、横向扩展和纵向延伸能力都将迈上新台阶。横向覆盖从可见光、近红外、中波、长波多波段激光芯片和硅光集成芯片，纵向延伸从激光显示、工业激光、光通讯、激光传感到生命科学与健康等主流应用和未来产业。

封面图片来源：拍信网

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