国博射频集成电路产业化二期项目预计2026年投产

据江宁发布消息，目前，国博射频集成电路产业化二期项目正在进行地下室主体结构施工。该项目总投资10亿元，总建筑面积约15.9万平方米，预计明年7月份主体封顶，2026年正式投产。

消息称，该项目落户江宁开发区，由中国电子科技集团公司第五十五研究所控股子公司南京国博电子有限公司投资建设。项目主要包括厂房及相关附属设施，重点补充射频集成电路封测制造能力，建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力，努力打造成为宽禁带半导体器件及模块国内最大供应商、5G通信技术国内发展主要引领者。

该项目将发挥五十五所在半导体外延材料、射频集成电路设计、第二、三代半导体射频集成电路产业等方面的突出优势，打造涵盖材料、设计、加工、封装测试的全产业链射频集成电路产业集群。

封面图片来源：拍信网

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