三星宣布2025年推出首个GAA制程先进封装

此前媒体爆料，三星宣布，2025年推出全球首款使用全环绕栅极晶体管(GAA)制程3D先进封装，提供客户从代工生产到先进封装完整解决方案。

据韩国媒体BusinessKorea报导，近日三星代工业务总裁崔世英讲述三星晶圆代工蓝图，计划2025年将GAA制程芯片扩展到3D封装，因制程微缩对降低成本和缩小芯片面积有其限制，因此三星多样化后段先进技术。

因两种制程复杂性都很高，产业界尚未尝试结合GAA制程与3D先进封装。GAA制程取代传统FinFET制程技术，可以最大化资料传输路径面积，并减少芯片尺寸。而3D先进封装是整合技术，使不同小芯片像单芯片发挥作用。在制程微缩逐步接近极限的现在，英特尔和台积电等都在激烈竞争，以加速商业化。

三星于2020年首次推出7纳米EUV制程的3D先进封装X-Cube，并于2022年率先量产3纳米GAA制程，且半导体业务部门另组先进封装（AVP）团队，加速下代半导体后段制程研发，三星预估将在2027年量产1.4纳米先进制程。

为了强化晶圆代工业务，三星已经宣布发展本土系统半导体生态系统发展计划，预计2024年扩展多项目晶圆(MPW)服务，目标是成为人工智能和高效能运算(HPC)关键推动者，采用4纳米制程，2025年MPW服务总量成长超过10%，带动韩国系统半导体产业发展。

封面图片来源：拍信网

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