外媒：格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片

据外媒《NBC》报道，近日，晶圆代工厂商格芯（GlobalFoundries）获得3000万美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。

这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。

格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。

Caulfield在一份声明中表示，“有了这笔新的联邦资金，以及在2023年联邦预算中可能获得的进一步支持，GF完全有能力在佛蒙特州成为氮化镓芯片制造的全球领导者。”

封面图片来源：拍信网

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