存储大厂芯动态：量产1β DRAM，削减20%存储器供应

近日，美光科技尖端存储器1β DRAM正式在日本广岛量产，但与此同时，为应对市场需求，美光还宣布将存储器产量减产约20%。

功效提升15%，1β DRAM正式量产

据日本共同社报道，美国半导体巨头美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司”已于16日开始在该市的广岛工厂启动最尖端DRAM（动态随机存取存储器）的量产。

与上代产品相比，功率效率和存储密度分别提升了约15%和约35%，主要面向智能手机出货，明年还将在中国台湾启动量产。

据悉，美光日本广岛工厂是其在2013年收购尔必达(ELPIDA)时取得，并于2019年开始建设新厂房等，致力于尖端技术产品DRAM的生产。目前，该厂投产制程主要为1Z纳米（占比50%以上）和1Y纳米（占比约35%）。

今年11月初，美光宣布，正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴。

美光最近宣布，其广岛生产基地将获得高达465亿日元的政府补贴。美光将利用这笔赠款扩大其行业领先的制造能力，包括与1β DRAM内存相关的能力。

市场需求疲弱，美光削减20%存储器供应

众所周知，美光是全球知名的存储器大厂，不过，由于消费性电子需求持续萎缩，对其营收造成冲击，第三季营收约48.1亿美元，环比下降23.3%。

为应对市场需求下滑导致公司难以清理过剩库存，美光16日表示，本季度DRAM和NAND的晶圆开工量将比2022年第四季削减20%，并计划进一步削减资本支出。

此外，美光同时警告2023年需求展望近来趋疲，届时DRAM的位元供给年增率将是负值，而NAND的位元供给只会有单位数成长率。此前，美光曾表示，会将今年度的资本支出减少30%。

展望2023年度，该公司预期DRAM的位元供应增幅掉到负值，而NAND则落在个位数百分比区间。

美光说表示，近期而言，对2023年度的市场展望一直都很疲弱。因此美光认为今年度以位元计的DRAM供应量必须缩减，而NAND的位元供应增幅必须大幅低于先前预估。

封面图片来源：拍信网

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