DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%

据韩媒TheElec 4月4日消息，韩国NAND闪存芯片材料供应商DS Techopia计划在第三季度将其用于生产NAND闪存芯片的材料六氯乙硅烷（HCDS）的产能扩大多达50%。

据了解，HCDS用于在硅芯片上形成氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiN）层。该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产DRAM和NAND闪存芯片的低温沉积工艺。

TheElec消息称，DS Techopia目前经营着2家生产HCDS的工厂，并计划增加第3家工厂，该工厂于2021年年中开始生产。DS Techopia发言人表示，第3家工厂比前2家工厂略大，当所有3个工厂都满负荷运转时，该公司每年可生产价值高达900亿韩元的HCDS。

DS Techopia表示，这样做是因为三星等客户正在扩大其整体NAND闪存产量，同时应用更先进的3D工艺。

据BusinessKorea 4月1日报道，三星已经完成了其在中国西安的二期NAND闪存工厂的扩建。该工厂每月可加工13万片12英寸的晶圆，比第一工厂每月12万片要高。

据悉，三星在韩国的新工厂P3也有望在下半年投产时生产176层NAND闪存芯片。

封面图片来源：拍信网

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