能效有望突破1000倍，华中科大科研团队新型存储芯片取得重大进展

不久前，国际顶级学术期刊《科学》杂志刊登了缪向水教授团队的最新研究论文，该团队在新型类脑传感存储计算一体化芯片的研发上取得重大进展，一旦产业化应用，其能效比将是现在的1000倍以上。

据悉，缪向水教授是华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、集成电路学院院长。

“武汉光电国家研究中心”介绍称，2010年，缪向水教授团队研发出中国第一款相变存储芯片，擦写速度是当时闪存芯片的1000倍，国际领先。

2018年，习近平总书记给科技工作者提出“要加快在芯片技术上实现重大突破，勇攀世界半导体存储科技高峰”的要求。随后，缪向水团队投入到直指世界科技前沿的更新一代的存储芯片技术的研发中，并在新型忆阻器芯片研发上取得重大突破。

据缪向水教授介绍，“这个忆阻器技术目前来讲，我们的国际专利数已经是全球前三名，国内专利是遥遥领先”。

封面图片来源：拍信网

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