长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片正式亮相

近日，在第八届中国电子信息博览会上，长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上正式亮相展出。

Source：长江存储

今年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，而这也是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，据武汉自贸区此前报道，目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。

据了解，该款3D NAND闪存还创下了三个“最”：业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。从64层量产至128层研发成功，仅相隔7个月。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速突破。

今年以来，长江存储消息不断，不仅宣布成功研发128层闪存产品；《科创板日报》此前还报道称，从供应链获悉，长江存储64层固态硬盘预计将于今年三季度上市，同时，二期厂房建设项目也已于今年6月20日开始动工，规划产能20万片/月。

封面图片来源：长江存储

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