三星成功开发业界首见3纳米GAA制程技术 效能增30%

三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款3纳米GAA制程技术，副会长李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。

BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导，三星电子新开发的3纳米GAA制程技术，有望协助公司达成“2030年半导体愿景”(即于2030年在系统半导体、存储器芯片领域成为业界领导者)。GAA是当前FinFET技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。

李在熔2日访问了华城芯片厂，听取3纳米制程技术的研发简报，并跟装置解决方案(device solutions, DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。

跟5纳米相较，采用3纳米GAA制程技术的芯片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%，但运算效能却能拉高30%。三星计画在2022年量产3纳米芯片。

三星去(2019)年发布了133万亿韩元(约1118.5亿美元)的投资计划，目标是在2030年成为全球顶尖的系统单芯片(SoC)制造商。

封面图片来源：拍信网

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