三星开始量产512GB的eUFS 3.0手机储存芯片

三星电子（Samsung Electronics）宣布开始量产全球首批基于eUFS 3.0的512GB手机储存芯片，它的连续读取速度达到每秒2,100MB，是1TB eUFS 2.1的2.1倍，为STAT固态硬盘（SSD）的4倍，更是寻常microSD卡的20倍。

联合电子装置技术协会（JEDEC）在去年1月公布了通用快闪存储器UFS 3.0标准，每通道最高的传输速率为每秒11.6Gb，三星继之于去年发表了嵌入式UFS（eUFS）解决方案，但直至二月底才宣布量产。

三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8个第五代512Gb V-NAND芯片，亦整合了高效能控制器，提供每秒2100MB的连续读取速度及每秒410MB的连续写入速度，更胜今年1月量产的1TB eUFS 2.1模块，该模块的连续读取速度为每秒1,000MB，连续写入速度则是每秒260MB。

三星表示，以512GB eUFS 3.0传送一部Full HD画质的电影到PC上大概只需3秒钟，而它的写入速度则与SSD相当。

除了在二月开始量产512GB及128GB的eUFS 3.0储存芯片之外，三星亦预计于今年下半年开始生产1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。

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