南亚科拟扩增20纳米产能 明年位元产出或增加15%

动态随机存取存储器(DRAM)厂南亚科董事会通过197.1亿元（新台币，下同）资本预算案，将用以扩增20纳米月产出1万片，明年位元产出估计将可增加15%。

南亚科指出，目前每月总产能约6.8万片，实际月产出约6.5万片；其中，20纳米制程月产出约3.5万至3.6万片。

因应市场需求持续成长，加上产品规划，南亚科预计今年底至明年初将开始陆续导入设备，扩增20纳米制程产能，初步规划月产出将增加1万片，新增的20纳米产能将于明年第2季陆续产出。

南亚科表示，30纳米制程产出则将缩减，但加上20纳米的产出，每月总产出将增至7.3万片规模。

南亚科指出，这次20纳米产出扩增计划对今年位元产出并无影响，估计将带动明年位元产出增加15%；随着产出增加，明年20纳米产品将从现有的DDR3及DDR4，增加消费性与低功耗产品，产品线将更趋完备。

南亚科今年资本支出金额原订115亿元，配合这次20纳米产出扩增计划，今年资本支出将会增加，只是确切增加金额仍待估算。

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