宇瞻张家騉:Q2 NAND价格出现超跌 Q3有望回升

1949idc 2年前 (2024-11-08) 阅读数 363 #人工智能

存储器模组厂宇瞻科技总经理张家騉保守看待今年NAND Flash市况,他认为,第二季价格出现超跌,第三季价格才可望回升,否则第三季报价将仅持平表现。

张家騉表示,因市场有次级品流窜影响,储存型快闪存储器(NAND Flash)市场有价格竞争的状况,目前产品价格已经呈现下跌中。

展望第三季时序将步入智能手机传统备货旺季,惟3D NAND Flash制造厂的良率可望逐步提升,实际产出可望增加,第三季NAND Flash价格能否止跌反弹,前提是第二季价格超跌。目前部分NAND Flash标准型产品规格有超跌的现象。

相对来看,宇瞻总经理张家騉看今年DRAM市况相对乐观,合约价预估将续涨至第三季,服务器需求动能为关键因素,明年要观察供给面变化,随着三星等大厂扩产,价格有机会下修。

宇瞻于第一季法说会时,张家騉即对动态随机存取存储器(DRAM)后市看法相对正面,预计未来两季DRAM市场没有看到乌云,目前看法并未改变,目前现货价居高不下,合约价在第二季以及第三季预期都将续涨。

张家騉表示,DRAM以及NAND Flash的运用愈来愈多,DRAM今年最大的动能是服务器相关需求,后续DRAM价格走势也与服务器需求息息相关。

在供给面方面,三星等大厂宣布扩产,由于投产至实际产出有时间差,预料明年初起,新增产能可望开始开出,整体市场供给增加,因此,宇瞻预期,明年随着供给增加,DRAM价格有可能出现下修的走势。

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