美光斥30亿美元建新厂 研调认为对供给影响不大

存储器大厂美光宣布将在2030年前，斥资30亿美元，在美国弗吉亚尼亚州扩建半导体厂，研调机构集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）认为，美光初期的扩厂规划将以DDR3或更早之前的产品为主，投产技术可能为20nm或更旧的技术，对美光的供给位元成长或整体产业来说，不会有剧烈的影响，真正可能对产业带来重大冲击的，是其他大厂2020年底完工的新厂执行状况。

对此，DRAMeXchange资深协理吴雅婷分析，以现阶段而言，美光在弗吉亚尼亚州的扩厂计划除响应美国政府鼓励当地投资的政策外，也是着眼于部分消费性产品与车用领域有对产品生命周期延长的需求。

吴雅婷预期，初期的扩厂规划主要将以DDR3或更早之前的产品为主，投产技术也非目前最先进制程，主要是20nm或更旧的技术，对美光的供给位元成长或整体产业来说，不会有剧烈的影响。

不过，吴雅婷也说，后续值得观察的是，大厂三星半导体、韩商SK海力士或是南亚科等供应商，都因对后续市况乐观，加上手上现金水位充足，纷纷提出建厂计划，但这些新厂约在2020年底左右陆续完工，真正的产能新增执行状况，才可能对产业产生重大的冲击。

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