三星揭露3纳米制程技术路图 首度导入闸极全环电晶体

三星周二举行晶圆代工技术论坛(Samsung Foundry Forum)，同时揭露发展3纳米制程的技术路图，以及7纳米投产进度，将抢攻高端运算与联网装置市场。

三星晶圆代工部门总裁郑恩昇(E.S. Jung)表示，3纳米制程将首度导入闸极全环(GAA)电晶体，这是下一世代电晶体架构，并将配合极紫外光（EUV）微影设备，来克服物理限制。（cdrinfo.com）

三星7纳米是第一个采用EUV技术的半导体制程，按计划将在2018下半年投产。据三星表示，关键知识产权（IP）已在开发，将于2019年上半年完成。

有趣的是，三星表示7纳米将应用在网络、汽车领域，而非效能要求较高的绘图处理器（GPU），意谓着三星7纳米技术似乎未能获得Nvidia与超微青睐。

超微日前已宣布下一世代Zen 2中央处理器与Navi绘图处理器，都将交予台积电以7纳米制程代工。

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