三星推出业界首款16Gb GDDR6显卡存储器

韩国科技大厂三星电子18日宣布，已开始量产业界第一款用于游戏装置和显卡，进行高级图形处理的16Gb GDDR6显卡存储器。

三星表示，新的GDDR6显卡存储器采用三星正式生产的10纳米制程技术，具16Gb密度。该GDDR6显卡存储器是上一代20纳米制程，8G GDDR5存储器的两倍，解决方案以每秒180Gbps的引脚速度执行，资料传输速率为每秒72 GBps，相对于8Gb引脚速度的8Gb GDDR5来说，传输速度增加了两倍以上。

另外，新型GDDR6采用创新的低功耗电路设计，工作电压为1.35V，与广泛使用的1.55V GDDR5相比，能降低耗能约3 5%。性能与20纳米制程的8Gb GDDR5相比，10纳米制程的16Gb GDDR6的工作效率提高了30%以上。

三星指出，因为密度、性能和能源效率提高，16Gb GDDR6将广泛应用于8K影音处理项目。包括虚拟现实（VR）、增强现实（AR）和人工智能等快速发展的领域，也都是16Gb GDDR6显卡存储器的潜在市场。

除了新推出的16Gb GDDR6显卡存储器，1月初三星也已量产当前市场资料传输速度最快的第2代8GB高频宽显卡存储器（HBM2）──Aquabolt，这是业界首款可提供每引脚2.4Gbps资料传输速度的HBM2。

三星强调，随着新18Gbps、16Gb GDDR6显示卡存储器，以及日前推出的2.4Gbps、8GB HBM2存储器等广泛图形存储器阵容，三星预计未来几年将显著加速存储器市场的增长。

如需获取更多资讯，请关注全球半导体观察官网（www.dramx.com）或搜索微信公众账号（全球半导体观察）。

版权声明

本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人
本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。