紫光国芯：DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。

同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。

针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。

紫光国芯主营压电石英晶体元器件的开发、生产和销售。

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