传三星将扩充17厂产能 生产10纳米等级DRAM

三星电子的韩国华城厂(Hwaseong)即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示，三星决定投资3万亿韩元(约26.4亿美元)提升DRAM产能。不过由于未来11线不再生产DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击DRAM供给。

韩媒etnews 2日报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10纳米等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在三月份向部分业者下单，估计投资金额约为2.5万亿~3万亿韩元，完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。

三星华城厂为综合晶圆厂，17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3D NAND Flash、S3线生产10纳米系统半导体。

如今11线将转为全数生产图像传感器CMOS和CIS，不再生产DRAM。三星为了弥补产能损失，决定扩大17线的DRAM产能。相关人士表示，此一投资是为了弥补11线产能缩减和制程微缩损失，对DRAM供需几乎没有影响。

华城厂投资全数落实后，厂内不再有多余空间，三星计划在17线旁的停车场，另盖新厂，考虑用于生产7纳米的系统半导体。

在此之前，韩媒不断猜测华城厂扩产的目的。

韩国先驱报三月份报导，半导体界透露，三星正在评估年度投资计划，有意在韩国华城(Hwaseong)的17号厂内部增加产线，并在17号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一，有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体。

三星发言人表示，目前为时过早，无法确认投资计划和新产线用途，详细内容敲定后，会在三月底或四月初宣布。

各方看法不一，可能由于华城厂产线多元，17号厂兴建之初只生产系统芯片，但是三星两度扩建17号厂，增加了DRAM和3D NAND产线，这次扩产目的难以判断。有人猜测，17厂内部的新增产线可能用于生产10纳米系统芯片、新工厂则生产7纳米系统芯片。

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