传三星今年资本支出较去年增长85.6% 达219.5亿美元

三星为攀上全球半导体龙头，不惜砸重金拼了，传今年资本支出将大幅加码逾十万亿韩元。

新韩投资（Shinhan Investment Corp）日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 万亿韩元（约 219.5 亿美元），较 2016 年成长 85.6%，且将超越 2015 年的 14.7 万亿韩元成为三星史上新高。（businesskorea.co.kr）

存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 万亿韩元（约 108 亿美元），非存储器部门（包含晶圆代工）则占 8 万亿韩元。

三星 NAND 快闪存储器量产技术领先，分析师看好三星借由新增投资，可趁机扩大市占率。集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）数据显示，三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%，遥遥领先第二名东芝的 18.3%。

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