格罗方德台积电2018年量产7纳米（附六大代工厂制程路线图）

近日，GlobalFoundries公布了7nm的进度、技术指标和量产安排，令半导体界为之一振。

GlobalFoundries因为缩写为GF、同时曾经被AMD拥有、至今也是AMD最主要的代工伙伴，所以即使“卖身”到了中东，也还是被硬件爱好则会亲切地称为“AMD女友”。

虽然Intel、三星、台积电等对手都选择用在14nm之后用10nm过度一代，但GF却直奔7nm。

6月25日，Anandtech公开了全球六大代工厂的官方制程路线图，可以看到，台积电和GF的7nm最快，都能在2018年量产。

不过，GF为7nm划分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而导入EUV（极紫外光刻）需要到2019年。

技术指标上，GF的第一代/第二代7nm相较14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。

DUV和EUV在细节指标上的区分还是很大，比如DUV的氩氟(ArF)准分子激光波长是193nm，而EUV只有13.5nm。

回到进度对比上，Intel实在是有些难堪，1个10nm要用到2020年，那时候AMD基于7nm的Zen 2/3都应发布了。

如需获取更多资讯，请关注全球半导体观察官网（www.dramx.com）或搜索微信公众账号（全球半导体观察）。

版权声明

本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人
本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。