明年Q1量产！骁龙670首曝：8核10纳米 性能提升20%

高通的10nm手机SoC家族加入新员，据微博数码达人草Grass草、i冰宇宙的爆料，骁龙670将于2018年Q1量产。

规格方面，骁龙670依然设计为8核心，但不同于660的4大4小组合，核心分配为2颗Kryo 360和6颗Kryo低功耗核心。

由于采用了DynamIQ技术，事实上可以异构核组建丛集，比如1大+3小组成一个4核丛集，当然，目前停留在猜测阶段。

因为Cortex A75/A55是首批基于DynamIQ的CPU架构，所以Kryo 360不出意外的话，应该是基于此做半定制。

本次爆料还指出，骁龙670的GPU将从Adreno 512升级到Andreno 6系，性能提升幅度在25%以上。

骁龙670因为推出的时间晚，所以工艺从骁龙835的10nm LPE升级为LPP，制程层面的功耗表现又有了改善。

结合A75提升20%、A55效能提升15%和高通的改良，看起来，骁龙670的综合提升在15~20%问题不大，就跑分而言，看齐骁龙820无压力。

另外值得一提的是，高通应该还准备了两颗更先进的旗舰SoC，分别是在诉讼苹果专利文件中和官网中都曾出现的骁龙845和evleaks曝光谷歌定于10月首发Pixel 2搭载的骁龙836，前者更是有望上到7nm工艺，同样基于Cortex A75魔改的Kryo。

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