紫光国芯：高性能第四代DRAM存储器芯片明年面市

近日，紫光国芯在接受信达证券等机构调研时表示，前三季度虽然增长速度较快，但由于毛利率较低，拉低了整体利润。此外，公司加大了研发投入，研发费用同比增长较快。同时所得税和汇兑损益同比也有较大增长，对公司本期利润产生了不利影响。

四季度以来，去年业绩下滑较大的智能芯片业务逐步好转，呈现良好的发展势头，对公司全年业绩会有有利的贡献。另外，西安紫光国芯拥有市场稀缺的DRAM设计团队，正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发，第四代产品容量更大、集成度更高、读写速度更快，预计明年开始进入市场。

展讯的产品与本公司的产品的应用领域和客户都不同，不存在竞争关系，另外也没有显著的协同关系，目前没有注入本公司的计划。

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