三星抢EUV是为存储器？传拟后年量产10纳米DRAM

先前传出三星电子打算买断EUV(极紫外光)设备拓展晶圆代工市场，不过韩国方面的新消息说，三星大买EUV，不只用于晶圆代工，也会用于存储器，计划抢先同业，2019年初量产10纳米DRAM。

韩媒BusinessKorea 29日报导，业界人士表示，三星考虑在韩国华城厂增建EUV设备专用的DRAM产线，最快下个月动工，预定2019年启用，将利用初期10纳米技术生产DRAM，开业界先河。

目前业者多采用ArF浸润式制程生产DRAM，缩小线宽有其极限，DRAM制程很难微缩至10纳米。EUV有望解决此一问题，实现DRAM的10纳米制程。熟悉三星电子情况的观察家说，EUV多用于7纳米晶圆代工，不过有些可以拿来生产DRAM。问题是10纳米晶圆的生产速度较慢，三星能否获利仍是未知数。预料三星将装设4~8台EUV设备。

专家预测，尽管EUV有缺点，三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM，藉此拉开和对手差距，维持市场霸主地位。今年第三季，三星在移动设备和服务器DRAM的市占，分别增至58.3%、45.9%。

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